![]() |
| |||||||||||||
![]() |
![]() |
|||||||||||||
![]() |
![]() |
sau
| ||||||||||||
Contacte: Institutul de Fizică Aplicată str. Academiei, 5 Chișinău, MD-2028 MOLDOVA (Rep.) tel.: +(373) 22 738150 fax: +(373) 22 738149 e-mail: [javascript protected email address] |
Obiectivele proiectului: Scopul acestui proiect a constat în stabilirea regimurilor optime de creștere a compușilor omogeni de CZGeS, CCdGeS și ale soluțiilor solide CZCdGeS, precum și cercetarea detaliată a proprietăților fundamentale ale acestora, cu stabilirea corelației între acestea și condițiile tehnologice de obținere. Pentru realizarea acestuia au fost stabilite următoarele obiective: 1. Trasarea diagramei de stare a sistemului Сu2ZnGeS4 - Cu2CdGeS4 și determinarea regimurilor optimale de sinteză și creștere a cristalelor soluțiilor solide Cu2ZnxCd1-xGeS4 prin metoda cristalizării orientate (metoda Bridgman) și din fază gazoasă (metoda transportului chimic de vapori). 2. Determinarea compoziției, structurii și a proprietăților mecanice ale compușilor Cu2ZnGeS4, Сu2CdGeS4 și a soluțiilor solide Cu2ZnxCd1-xGeS4. 3. Studiul spectrelor de transmisie, fotoluminescență și vibraționale ale compușilor din seria Cu2ZnxCd1-xGeS4. 4. Determinarea legității de schimbare a parametrilor celulei elementare, a densității, microdurității și a lățimii benzii interzise a compușilor sintetizați de compoziția x. 5. Studiul detaliat al proprietăților de transport ale cristalelor obținute într-un interval larg de temperaturi și în prezența câmpului magnetic. |
|||||||||||||
![]() |
![]() |